SK海力士DDR5-6400内存细节密度翻番

2019/2/28 17:33:20 来源：互联网编辑：匿名

原标题：SK海力士DDR5-6400内存细节密度翻番

2019-02-28 10:52:31 作者：冯海洋

我们都知道，玩家对于内存的频率追求是没有上限的，因此厂商们都在不断的去努力提高。就在近日，SK海力士就公布了旗下第一颗DDR5-6400内存芯片，频率高达6400MHz，是现在多数DDR4内存的两倍左右，而且单颗容量为16Gb(2GB)。

内存条

而且根据SK海力士官方的介绍，他们的这种DDR5-6400内存采用1ynm工艺制造，也就是第二代10nm级别工艺(DRAM工艺现在极少明确到个位数)，四个金属层，面积为76.22平方毫米。这是什么概念呢？意思就是SK海力士此前的第一代21nm工艺8Gb(1GB) DDR4内存芯片面积是76平方毫米，等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量，存储密度翻了一番，可谓是十分的恐怖了。

当然了，翻番的存储密度可以有效抵消上涨的成本，更何况还可以做出更小的4Gb芯片。另外，新内存的工作电压仅为1.1V，相比于DDR4标准的1.2V又降低了大约8％，而很多高频DDR4内存都要加到1.35V甚至是很危险的1.5V。

而根据此前的信息来看，目前，三星电子、SK海力士、美光等巨头都在冲刺DDR5，但是行业规范迟迟没能定下来，原计划2018年底出炉的标准至今还没有确定，而且JEDEC组织一直没有给出新的时间表。而在另一方面，针对智能手机等低功耗便携式设备的LPDDR5都已经搞定了。