台积电7nm EUV芯片首次流片成功

近日，台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破，一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作，二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。

今年4月开始，台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7)投入量产，苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造，但仍在使用传统的深紫外光刻(DUV)技术。

而接下来的第二代7nm工艺(CLNFF+/N7+)，台积电将首次应用EUV，不过仅限四个非关键层，以降低风险、加速投产，也借此熟练掌握ASML的新式光刻机Twinscan NXE。

7nm EVU相比于7nm DUV的具体改进公布得还不多，台积电只说能将晶体管密度提升20%，同等频率下功耗可降低6-12%。

如今在7nm EUV工艺上成功完成流片，证明了新工艺新技术的可靠和成熟，为后续量产打下了坚实基础。

台积电没有透露这次流片成功的芯片来自哪家客户，但是想想各家和台积电的合作关系，其实不难猜测。

7nm之后，台积电下一站将是5nm(CLN5FF/N5)，将在多达14个层上应用EUV，首次全面普及，号称可比初代7nm工艺晶体管密度提升80%从而将芯片面积缩小45%，还可以同功耗频率提升15%，同频功耗降低20%。

2019年4月，台积电的5nm EUV工艺将开始风险性试产，量产则有望在2020年第二季度开始，正好满足后年底各家旗舰新平台。

台积电5nm工艺的EDA设计工具将在今年11月提供，因此部分客户应该已经开始基于新工艺开发芯片了。